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常见问题

关于流化床气相沉积反应器选型、工艺与售后的常见疑问解答

硅碳负极CVD沉积温度通常控制在 400-650℃,具体取决于硅源和碳源种类。硅烷分解沉积硅的温度约 400-500℃,碳源(如乙烯、丙烯)热解包覆碳的温度约 550-650℃。温度过低反应不充分、包覆不均匀;过高则颗粒聚团、副产物增加。嵩瑞SR系列反应器采用分区控温,温度均匀性 ±2℃。