流化床CVD法制备硅碳负极：工艺原理与设备选型要点
CVD 法硅碳负极的核心是在多孔碳骨架上沉积纳米硅并包覆碳层。流化床反应器因气固接触充分、颗粒受热均匀，成为规模化制备的主流设备。选型时重点关注：流化气速窗口（防止聚团与扬析）、温度场均匀性（±2℃级控温）、单炉处理量与连续化能力、硅烷等特
流化床CVD与固定床CVD的区别：为什么包覆均匀性差这么多？
固定床中颗粒静止堆积，气体走短路、温度梯度大，导致包覆厚度分布宽、批次一致性差；流化床中颗粒处于悬浮翻动状态，每个颗粒都暴露于均一的气相环境，膜层厚度分布窄。本文从传质与传热角度解释两种反应器的差异，并给出聚团粉体（纳米级）流化操作的注意事
嵩瑞耐材流化床反应器产线建成投产，服务硅碳负极行业
公司流化床气相沉积反应器产线近期建成投产，形成实验型、中试型、量产型全系列及配套配气、尾气处理系统，可为硅碳负极、碳纳米管等行业客户提供从工艺验证到规模化生产的完整装备方案。