粉体原子层沉积（FB-ALD）与超均匀纳米包覆
粉体原子层沉积（FB-ALD）解决方案，粉体流化后前驱体交替沉积，实现原子级均匀包覆，适用于催化剂、电池材料、贵金属负载等高端粉体。
行业痛点
传统包覆方法厚度控制难、均匀性差，微纳粉体及高深宽比颗粒难以均匀包覆；包覆不均直接影响产品性能一致性。
FBCVD 解决方案
基于流化床 FB-ALD，粉体在流化态下前驱体交替脉冲沉积，实现原子级厚度可控、高各向同性包覆；提供实验级到量产级设备与工艺验证服务。
1
原子级均匀
粉体流化+前驱体交替沉积，包覆厚度原子级可控。
2
流化床平台
D50=2-1000μm 粉体适用，气固接触高效。
3
多前驱体适用
适配多类沉积体系与目标材料。
4
量产放大
实验级到量产级规格，支持产线放大。
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